Il FET SuperGaN di V generazione di Transphorm raggiunge la più bassa resistenza di conduzione al mondo per un dispositivo impacchettato, in linea con quanto richiesto per l’impiego nei veicoli elettrici

Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN), società all’avanguardia e fornitore globale di prodotti al nitruro di gallio (gallium nitride, GaN) ad alte prestazioni ed elevata affidabilità per la conversione dell’energia, ha annunciato oggi il campionamento del primo dispositivo di V generazione con il proprio marchio SuperGaN^TM. TP65H015G5WS, il nuovo dispositivo di V generazione di Transphorm rivolto al mercato dei veicoli elettrici (Electric Vehicle, EV), vanta miglioramenti nelle prestazioni ineguagliate nel settore, facilità di personalizzazione e una struttura dei costi ottimizzata tipiche della famiglia di dispositivi SuperGaN.

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Lowest Rds(on) SuperGaN™ FET in a TO-247 package from Transphorm poised for growth in EV market. (Graphic: Business Wire)

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