Shin-Etsu Chemical sviluppa un substrato QSTTM per la crescita del GaN da 300 mm

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063) (sede centrale: Tokyo; presidente: Yasuhiko Saitoh; di seguito, “Shin-Etsu Chemical”) ha creato un substrato QST^TM da 300 mm (12 pollici), dedicato alla crescita epitassiale del GaN, iniziando di recente a fornire campioni.

Shin-Etsu Chemical ha venduto substrati QST^TM da 150 mm (6 pollici) e 200 mm (8 pollici) e substrati QST^TM per la crescita epitassiale del GaN di ciascun diametro. Nel frattempo, l'azienda ha lavorato per aumentare ulteriormente il diametro in risposta alla forte domanda dei clienti e ha sviluppato con successo un substrato QST^TM da 300 mm (12 pollici). I produttori di dispositivi GaN non traggono vantaggio dall'aumento del diametro dei materiali a causa della mancanza di substrati di grande diametro adatti alla crescita del GaN, nonostante possano utilizzare la linea di produzione di Si esistente per il GaN.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

Vedi la versione originale su businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20240904523644/it/

Per richieste di informazioni, contattare:
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Ufficio pubbliche relazioni
Tetsuya Koishikawa
Tel: 03-6812-2340, o fuori dal Giappone: 81-3-6812-2340
Fax: 03-6812-2341, o fuori dal Giappone: 81-3-6812-2341
E-mail: [email protected]
www.shinetsu.co.jp

Permalink: http://www.businesswire.com/news/home/20240904523644/it/