Sul mercato i nuovi MOSFET a canale N a bassa resistenza di conduzione di Toshiba

La nuova famiglia di prodotti fabbricati con l'ottavo e più recente processo di produzione, destinati all'uso nei circuiti di protezione delle batterie agli ioni di litio e negli interruttori di accensione e spegnimento dei dispositivi mobili

TOKYO, 07/12/2012 (informazione.it - comunicati stampa - energia)

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) ha lanciato un nuovo MOSFET a bassa resistenza di conduzione, il TPN2R503NC, fabbricato con l'ottavo e più recente processo di produzione e destinato all'uso nei circuiti di protezione delle batterie agli ioni di litio e negli interruttori di accensione e spegnimento dei dispositivi mobili. Due altri prodotti di ottava generazione, TPN4R203NC e TPN6R303NC, sono stati aggiunti al portafoglio aziendale come successori di modelli preesistenti. Tutti e tre i prodotti possono contribuire alla riduzione dello spessore e delle dimensioni globali dei dispositivi mobili, migliorandone al contempo l'efficienza.

Sul mercato i nuovi MOSFET a canale N a bassa resistenza di conduzione di Toshiba

Toshiba N-channel Low ON-Resistance MOSFET (Photo: Business Wire)

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