Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F 2, compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene simultáneamente una corriente de encendido alta y una corriente de apagado ultrabaja. A través de esta tecnología se espera conseguir una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de bajo consumo que aproveche la propiedad de fuga ultrabaja del transistor…

TOKIO, 11/12/2024 (informazione.it - comunicati stampa - industria)

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F² , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene simultáneamente una corriente de encendido alta y una corriente de apagado ultrabaja. A través de esta tecnología se espera conseguir una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de bajo consumo que aproveche la propiedad de fuga ultrabaja del transistor de InGaZnO^*1. Este anuncio se realizó por primera vez en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco (California), el 9 de diciembre de 2024. Se trata de un logro desarrollado conjuntamente por Nanya Technology y Kioxia Corporation. Esta tecnología tiene el potencial de reducir el consumo de energía en una amplia gama de aplicaciones, incluidos los sistemas de comunicación de IA y post-5G, y los productos de IoT.

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La tecnología OCTRAM utiliza un transistor vertical de InGaZnO en forma de cilindro (Fig. 1) como transistor de celda. Este diseño permite adaptar una DRAM 4F², que ofrece importantes ventajas en densidad de memoria en comparación con la DRAM 6F² convencional basada en silicio.

El transistor vertical de InGaZnO consigue una corriente de encendido elevada de más de 15 μA/celda (1,5 x 10^-5 A/celda) y una corriente de apagado ultrabaja, inferior a 1aA/celda (1,0 x 10^-18 A/celda), gracias a la optimización tanto del dispositivo como del proceso (Fig. 2). En la estructura OCTRAM, el transistor vertical de InGaZnO está integrado sobre un condensador con alta relación de aspecto (proceso que prioriza el condensador). Esta disposición permite desacoplar la interacción entre el proceso avanzado del condensador y el rendimiento del InGaZnO (Fig. 3).

*1: InGaZnO es un compuesto de In (indio), Ga (galio), Zn (zinc) y O (oxígeno).

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Acerca de Kioxia

Kioxia es una empresa líder mundial en soluciones de memoria que se dedica al desarrollo, producción y venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia tiene el compromiso de mejorar el mundo con memoria ofreciendo productos, servicios y sistemas que crean opciones para los clientes y un valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está configurando el futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades SSD de avanzada, la industria automotriz y los centros de datos.

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