Scienza e Tecnologia
Toshiba Memory Corporation annuncia la memoria flash 3D a 96 strati
Toshiba Memory Corporation, leader a livello mondiale in soluzioni di memoria, ha annunciato in data odierna di aver sviluppato un campione prototipo di memoria flash BiCS FLASH™ tridimensionale (3D) a 96 strati con una struttura in stack[1], con tecnologia di 3 bit per cella (triple-level cell, TLC). Si programma il lancio dei campioni del nuovo prodotto a 96 strati, che è un dispositivo a 256 gigabit (32 gigabyte), nella seconda metà del 2017 e si pianificala produzione in massa per il 2018.
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