Energia
Transphorm aumenta l’immunità al rumore e riduce il cambiamento del rumore con la piattaforma di conversione dell’energia GaN di terza generazione
Transphorm Inc.—leader nella progettazione e nella produzione dei semiconduttori di affidabilità più alta e primi a nitruro di gallio (GaN) qualificato JEDEC- e AEC-Q101 —ha annunciato oggi la disponibilità dei suoi FET GaN di terza generazione (Gen III) a 650-volt (V). I transistor di potenza costruiti sulla base della tecnologia di Gen III danno la precedenza all’interferenza elettromagnetica più bassa (EMI), all’aumento dell’immunità al rumore logico e al margine di altezza maggiore nelle applicazioni dei circuiti.
L’ultimissima evoluzione della piattaforma premiata deriva dalla conoscenza acquisita dal team di Transphorm che lavora con i clienti sui design dei prodotti finali adesso in produzione o che saranno presto rilasciati.
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