Kioxia sviluppa la tecnologia OCTRAM (transistor a canale a ossido-semiconduttore DRAM)

TOKYO, 11/12/2024 (informazione.it - comunicati stampa - industria)

Kioxia Corporation, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha annunciato oggi lo sviluppo di OCTRAM (il transistor a canale a ossido-semiconduttore DRAM), un nuovo tipo di DRAM 4F², costituito da un transistor a ossido-semiconduttore che presenta contemporaneamente un'elevata corrente di accensione e una bassissima corrente di spegnimento. Si prevede che tale tecnologia dovrebbe realizzare una DRAM a basso consumo sfruttando le proprietà di bassissima dispersione del transistor InGaZnO. L'annuncio è stato dato per la prima volta in occasione dell'IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), tenutosi a San Francisco, CA, il 9 dicembre 2024. Questo risultato è stato ottenuto congiuntamente da Nanya Technology e Kioxia Corporation.

Questo comunicato stampa include contenuti multimediali. Visualizzare l’intero comunicato qui: https://www.businesswire.com/news/home/20241209816317/it/

Kioxia sviluppa la tecnologia OCTRAM (transistor a canale a ossido-semiconduttore DRAM)

Fig.1: Cross-sectional TEM image for the InGaZnO vertical transistor (Photo: Business Wire)

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.