Toshiba presenta il nuovo fotoaccoppiatore per il pilotaggio di gate specifico per IGBT/MOSFET

Riduzione dei tempi morti e maggiore efficienza nei circuiti di conversione della corrente con temperature operative comprese tra -40 e 125 °C.

TOKYO, 08/01/2013 (informazione.it - comunicati stampa - energia)

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) ha annunciato in data odierna l'imminente lancio del nuovo accoppiatore per circuiti integrati con contenitore DIP8 in grado di pilotare direttamente IGBT di media capacità o MOSFET di potenza. Il nuovo prodotto, TLP250H, vanta un ritardo massimo di propagazione di 500 ns e un disallineamento nel ritardo di propagazione tra fotoaccoppiatori di 150 ns, prestazioni in grado di ridurre i tempi morti e migliorare l'efficienza nei circuiti di conversione. L'impiego di un nuovo LED caratterizzato da una maggiore longevità consente inoltre l'ampliamento del range di temperature operative tra -40 e 125 °C.

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