Kioxia presenta la memoria Flash QLC de 2 Tb de mayor capacidad del sector con la última tecnología BiCS FLASH™

Un logro como resultado de innovaciones arquitectónicas revolucionarias en tecnología de escalado y pegado de obleas. Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el inicio de los envíos de muestras (1) de dispositivos de memoria Quad-Level-Cell (QLC) de 2 Tb (terabit) con su tecnología de memoria Flash 3D BiCS FLASH TM de octava generación. Un dispositivo QLC de 2 Tb, con la mayor capacidad del sector (2), que eleva los dispositivos de almacenamiento a un nuevo…

TOKIO, 03/07/2024 (informazione.it - comunicati stampa - industria)

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el inicio de los envíos de muestras⁽¹⁾ de dispositivos de memoria Quad-Level-Cell (QLC) de 2 Tb (terabit) con su tecnología de memoria Flash 3D BiCS FLASH^TM de octava generación. Un dispositivo QLC de 2 Tb, con la mayor capacidad del sector⁽²⁾, que eleva los dispositivos de almacenamiento a un nuevo nivel de capacidad que impulsará el crecimiento en múltiples segmentos de aplicación, incluida la IA.

Gracias a la tecnología BiCS FLASH^TM, Kioxia ha logrado el escalado vertical y lateral de la matriz de memoria mediante procesos patentados y arquitecturas innovadoras. Además, la empresa ha implantado la revolucionaria tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array)⁽³⁾, que permite crear dispositivos de mayor densidad y una velocidad de interfaz líder en el sector de 3,6 Gbps⁽⁴⁾. Conjuntamente, estas tecnologías avanzadas se aplican en la creación de QLC de 2 Tb, dando lugar al dispositivo de memoria de mayor capacidad del sector.

La memoria QLC de 2 Tb está equipada con una densidad de bits aproximadamente 2,3 veces superior y una eficiencia de escritura aproximadamente un 70% superior a la del actual dispositivo QLC de quinta generación de Kioxia, que es el de mayor capacidad de los productos de Kioxia. Con una arquitectura apilada de 16 pastillas (chips) en un único paquete de memoria, el último dispositivo QLC alcanza una capacidad de 4 TB (terabyte) líder en el sector. Está disponible con un encapsulado más pequeño de 11,5 x 13,5 mm y una altura de 1,5 mm.

Charles Giancarlo, director ejecutivo de Pure Storage, Inc, la empresa pionera en TI que ofrece la tecnología y los servicios de almacenamiento de datos más avanzados del mundo, destacó la importancia del último desarrollo de Kioxia para la plataforma de la empresa: "Tenemos una larga relación con Kioxia y estamos encantados de incorporar sus productos de memoria flash QLC de 2Tb BiCS FLASH™ de octava generación para mejorar el rendimiento y la eficiencia de nuestras soluciones de almacenamiento totalmente Flash. La plataforma unificada de almacenamiento de datos totalmente Flash de Pure es capaz de satisfacer las exigentes necesidades de la inteligencia artificial, así como los agresivos costos del almacenamiento de copias de seguridad. Con el respaldo de la tecnología Kioxia, Pure Storage seguirá ofreciendo un rendimiento, eficiencia energética y confiabilidad inigualables, proporcionando un valor excepcional a nuestros clientes".

"Nos complace enviar muestras de nuestro nuevo dispositivo QLC de 2 Tb con la nueva tecnología BiCS FLASH™ de octava generación", señaló Hideshi Miyajima, director de Tecnología de Kioxia. "Con su alta densidad de bits líder en la industria, su alta velocidad de transferencia de datos y su eficiencia energética superior, el producto QLC de 2 Tb ofrecerá un nuevo valor para las aplicaciones de IA que emergen rápidamente y para las aplicaciones de gran almacenamiento que exigen ahorro de energía y espacio".

Además del QLC de 2 Tb, Kioxia también ha sumado a su cartera dispositivos de memoria QLC de 1 Tb. En comparación con el QLC de 2 Tb de capacidad optimizada, el QLC de 1 Tb de rendimiento optimizado ofrece un rendimiento de escritura secuencial aproximadamente un 30% más rápido y una mejora de la latencia de lectura de aproximadamente un 15%. El dispositivo QLC de 1 TB se utilizará en aplicaciones de alto rendimiento, como SSD cliente y móviles.

Kioxia seguirá desarrollando productos de memoria líderes en el sector en previsión de la creciente demanda de soluciones de almacenamiento de datos.

Notas
(1) Estas muestras están destinadas a la comprobación funcional y sus especificaciones pueden diferir de las de la producción en serie.
(2) A fecha de 3 de julio de 2024. Encuesta de Kioxia.
(3) Tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array), en la que cada oblea CMOS y cada oblea de matriz de celda se fabrican por separado en su estado optimizado y luego se unen entre sí.
(4) 1 Gbps se calcula como 1 000 000 000 bits/segundo. Este valor se obtiene en un entorno de pruebas específico de Kioxia y puede variar en función de las condiciones del usuario.

* En cada mención de un producto Kioxia: La densidad del producto se identifica en base a la densidad de chip(s) de memoria dentro del producto, no a la cantidad de capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formateo, los bloques defectuosos y demás limitaciones, y también puede variar en función del dispositivo host y la aplicación. Para obtener más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente. La definición de 1 KB = 2^10 bytes = 1024 bytes. La definición de 1 Gb = 2^30 bits = 1 073 741 824 bits. La definición de 1 GB = 2^30 bytes = 1 073 741 824 bytes. 1 Tb = 2^40 bits = 1 099 511 627 776 bits.

* Las velocidades de lectura y escritura son los mejores valores obtenidos en un entorno de prueba específico en Kioxia. Kioxia no garantiza las velocidades de lectura ni escritura en dispositivos individuales. La velocidad de lectura y escritura puede variar en función del dispositivo utilizado y del tamaño del archivo leído o escrito.

* Los nombres de empresas, productos y servicios pueden ser marcas comerciales de terceros.

Acerca de Kioxia

Kioxia es una empresa líder mundial en soluciones de memoria que se dedica al desarrollo, producción y venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia tiene el compromiso de mejorar el mundo con memoria ofreciendo productos, servicios y sistemas que crean opciones para los clientes y un valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades SSD de avanzada, la industria automotriz y los centros de datos.

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