Toshiba amplia la propria linea di MOSFET a canale N a bassa tensione

Minore dispersione per conduzione nei dispositivi mobili grazie alla bassa resistenza di ON

TOKYO, 10/07/2013 (informazione.it - comunicati stampa - energia)

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha reso noto in data odierna l'ampliamento della propria linea di MOSFET a canale N a bassa tensione, usati nei circuiti di protezione delle batterie agli ioni di litio e degli switch di gestione dell'energia dei dispositivi mobili, con l'aggiunta del modello "TPN2R203NC".Realizzato con la tecnologia di processo di ottava generazione, TPN2R203NC è caratterizzato da una bassa resistenza di ON che consente di ridurre la dispersione per conduzione nei dispositivi mobili.

Toshiba amplia la propria linea di MOSFET a canale N a bassa tensione

Toshiba Low Voltage N-channel MOSFET "TPN2R203NC" (Photo: Business Wire)


Caratteristiche principali
1.		Tecnologia di processo di ottava generazione per una bassa resistenza di ON.
2.		Pacchetto TSON Advance caratterizzato da un'ottima conducibilità termica.
3.		Elevata resistenza alle scariche a valanga.

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