Energia
Toshiba amplia la propria linea di MOSFET a canale N a bassa tensione
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha reso noto in data odierna l'ampliamento della propria linea di MOSFET a canale N a bassa tensione, usati nei circuiti di protezione delle batterie agli ioni di litio e degli switch di gestione dell'energia dei dispositivi mobili, con l'aggiunta del modello "TPN2R203NC".Realizzato con la tecnologia di processo di ottava generazione, TPN2R203NC è caratterizzato da una bassa resistenza di ON che consente di ridurre la dispersione per conduzione nei dispositivi mobili.
Toshiba Low Voltage N-channel MOSFET "TPN2R203NC" (Photo: Business Wire)
Caratteristiche principali | ||
1. |
Tecnologia di processo di ottava generazione per una bassa resistenza di ON. |
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2. | Pacchetto TSON Advance caratterizzato da un'ottima conducibilità termica. | |
3. | Elevata resistenza alle scariche a valanga. | |
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